存儲器芯片是集成電路市場份額最大的芯片產品。目前我國的存儲器芯片高度依賴進口，嚴重威脅國家信息安全，是我國集成電路產業的主要“卡脖子”難題之一。其中，DRAM內存是存儲器芯片市場中市值最大的單一產品，占比大于55%，2022年市場規模達到790億美元。當前，DRAM內存芯片面臨工藝微縮瓶頸，嚴重制約計算系統性能，且DRAM內存芯片的技術迭代依賴先進光刻工藝(EUV)。 
三維相變存儲器比NAND閃存的擦寫速度快1000倍、壽命長1000倍，又比DRAM內存的容量大8-10倍，因而非常適合作為非易失內存介質。然而，當前的三維相變存儲器的時延和壽命均不能滿足內存應用需要。
為此，華中科技大學集成電路學院繆向水團隊潛心研究了15年相變存儲器芯片技術，于2023年取得重大突破，攻克了三維相變存儲器的時延和壽命等瓶頸難題，在相變機理、新型相變材料、新型OTS選通管、相變測試方法、芯片設計等方面取得了系統性原創成果。
圖1.中國首款最大容量新型三維存儲器芯片“NM101”成功面世。ab為媒體報道；c為“NM101”量產芯片；d為基于“NM101”芯片的服務器內存條。
在團隊將前期積累的93項三維相變存儲器的關鍵基礎專利許可給國內行業龍頭企業(量產FAB)的基礎上，與其合作開發三維相變存儲器芯片產品，成功研制出國內首款三維相變存儲器原型芯片，主要技術參數領先Intel/Micron的傲騰芯片。基于該原型芯片核心技術，新存科技與團隊合作，成功實現了國產首款64Gb三維相變存儲器芯片“NM101”量產。該芯片已應用于服務器內存條并演示功能(圖1)。
圖2. 繆向水團隊“三維相變存儲器芯片”成果榮獲華為奧林帕斯先鋒獎
繆向水團隊具有自主知識產權的三維相變存儲器芯片技術的成功研發及產業化，顯著降低了我國對國外存儲技術的依賴，加速了國產新型存儲器產業化進程，對于突破我國在存儲器集成電路制造領域的“卡脖子”困境具有重要意義，對國家信息安全、集成電路芯片以及上下游產業的發展起到極大的推動作用。團隊因此榮獲華為奧林帕斯先鋒獎(圖2)。
版權與免責聲明：1.凡本網注明“來源：化工機械設備網”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網絡有限公司-興旺寶合法擁有版權或有權使用的作品，未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的，應在授權范圍內使用，并注明“來源：化工機械設備網”。違反上述聲明者，本網將追究其相關法律責任。 2.本網轉載并注明自其它來源（非化工機械設備網）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點或和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時，必須保留本網注明的作品第一來源，并自負版權等法律責任。 3.如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發表之日起一周內與本網聯系，否則視為放棄相關權利。
相關新聞
昵稱 驗證碼 請輸入正確驗證碼
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關